11月3日，由中建三局一公司承建的高端光电子器件产业基地建设项目一期施工总承包项目开工。
项目位于武汉市东湖高新区综合保税区，总建筑面积约15.8万平方米，包含综合服务中心、研发中心、厂房、物流仓库等建筑及配套设施。项目建成后，将用于开展高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造，研发生产面向5G和6G应用的高速光电子器件以及光收发模块产品。项目投产后，预计每年新增100亿元产值，推动武汉市光电芯片产业和高新技术发展，助力武汉光迅科技股份有限公司成为全球光器件的研发先行者和先导企业。（中建三局供稿）
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